此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。另外，此新器件采用 TO−247−4L 封装，与标准 TO−247−3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个柔性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。