此MOS栅极高压开关器件系列充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 低得多的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。 使用的IGBT是开发类型TA49123。 反平行与IGBT中使用的二极管是开发类型TA49188。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49182。