HGTP7N60A4D 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态导通损耗特性。 该 IGBT 非常适合许多工作频率很高，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。 该设备已被优化来实现快速开关应用，比如 UPS 和焊机。