HGTG30N60C3D 是一款 MOS 门控高压开关器件，它充分融合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 非常低的通态压降仅在 25°C 到 150°C 之间适度变化。使用的 IGBT 是开发类型 TA49051。 反向并联 IGBT 使用的二极管是开发类型 TA49053。 该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。 以前的开发类型为 TA49014。