HGTG20N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49339。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。