HGTG20N60A4 具有最佳特性，既有 MOSFET 的高输入阻抗，又兼具双极晶体管的低导通状态损耗。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件经过优化，可用于 UPS、焊接机和感应加热等快速开关应用。