HGT1S12N60A4DS 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。该器件适用于 UPS 和焊接机等快速开关应用。