此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 IV 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。另外，此新器件采用 TO−247−4L 封装，与标准 TO−247−3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管，采用低正向电压。
