这款 ADF IGBT 系列采用了场截止沟槽第 3 代 IGBT，提供极低的 Vce(sat)和更快的开关特性，具有出色的能效。这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑结构进行了完全优化；单升压，多沟道交错等，具备超过 20KHz 的开关性能。TO3P 封装为更广泛的 SOA 提供超低热阻，保证系统的稳定性。