安森美半导体的 1200V 沟槽 IGBT 系列采用先进的场截止沟槽技术，为软开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件可以在并行配置下运行，具有优异的雪崩耐用性。该器件适用于电感加热和微波炉。