安森美半导体的短路阳极沟槽 IGBT 采用先进的场截止沟槽和短路阳极技术，可为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可在并联配置中运行，且具有卓越的雪崩功能。该器件适用于感应加热和微波炉。