安森美半导体的 1200V 沟槽 IGBT 采用先进的场截止沟槽技术，可为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可在并联配置中运行，且具有卓越的雪崩坚固性。该器件适用于感应加热和微波炉。