安森美半导体的短路阳极沟槽 IGBT 采用先进的场截止沟槽和短路阳极技术，可为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件可在并联配置中运行，且具有出色的雪崩功能。该器件适用于电感加热和微波炉。