CM1231 专用于亚微米硅设计。 此类器件适用于保护具有较高数据和时钟速率的系统，或 USB 2.0 等需要低电容负载的电路。 CM1231-02SO 结合了 双级 ESD 结构，与传统的单箝位设计相比，大幅提高了系统级 ESD 保护性能。 另外，CM1231-02SO 提供受控滤波器滚转，可实现更卓越的 EMI 抑制和更佳信号完整性。 CM1231-02SO 会根据 IEC61000-4-2 标准在输出引脚上提供最高 12 kV 的接触 ESD 脉冲保护。 该器件还具有轻松接线的通流差分引脚输出。
