适用于需要最小电容负载的电子组件或子系统。此类器件适用于保护具有较高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个 ESD 沟道都包括一对串联二极管，会将正或负 ESD 电流脉冲转向正 (VP) 或负 (VN) 电源轨。VP 和 VN 之间嵌入了一个齐纳二极管，具有两个优点。首先，它保护 VCC 电源轨免受 ESD 尖峰影响；其次，不再需要旁通电容器来吸收接地的正 ESD 尖峰。根据 IEC 61000-4-2 标准，CM1213 可防止高达 ±8kV 的 ESD 脉冲。
