NID6002N 属于先进的功率 MOSFET 系列，使用安森美半导体最新的智能 MOSFET 技术工艺。集成的温度和电流限值一起提供短路保护。该器件具有集成的漏极-门极箝位，使其能够耐受雪崩模式下的高能量。该箝位还可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。静电 (ESD) 保护通过集成的门极-源极箝位提供。