碳化硅（SiC）MOSFET全新系列，1700V M1平面型EliteSiC MOSFET，优化用于高速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。EliteSiC碳化硅系列在用20V栅极驱动时能提供最佳性能，但同样适用18V栅极驱动。