这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效的开关模式电源、功率因数校正和半桥电子灯整流器。