此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥配置的电子镇流器。