此类 N 沟道增强模式功率 MOSFET 使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA49158。