汽车功率 MOSFET。此双 N 沟道器件使用小占位封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺，可减小占位，提高能效。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。