这款 30 V N 沟道小信号 MOSFET 采用安森美半导体领先的低门极电荷平面技术，适用于快速开关器件。此性能特别适合于 DC 到 DC 转换或低压侧电源开关应用。该器件采用小型 SOT-23 (3.0 x 3.0 mm) 封装，非常适合笔记本计算机和其他便携式应用。