型号NTJD4401N
品牌
分类MOSFET
描述双 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,20V,630mA,375mΩ
产品概述

此双 N 沟道器件使用小占地面积封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺,可减小占地面积,提高效率。 外形小巧的特性特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备,例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。