NTGD1100L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTGD1100L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 3.3 A 的负载。