型号NDT456P
品牌
分类MOSFET
描述P 沟道增强型场效应晶体管
产品概述

功率 SOT P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。此类器件非常适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。