功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。