此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此器件采用非常小的占位封装，提供卓越的功率耗散。