此类双 P 沟道增强型场效应晶体管是使用安森美半导体的专属沟槽技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。