此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变抑制的低压应用，如 DC-DC 转换器和高能效开关电路。