此逻辑电平功率 MOSFET 具有用于短路保护的电流限制、用于 ESD 保护的集成式门极-源极箝位，以及用于过电压保护的一体化门极-漏极箝位，以及实现低导通电阻的技术。接口 MCU 的输出时，无需附加门极串联电阻，但建议使用一个 40 kΩ 门极下拉电阻以避免浮动门极情况。内部门极-源极和门极-漏极箝位使得该器件应用时无需外部瞬变抑制组件。门极-源极箝位会针对高达 2.0 kV 的静电电压对 MOSFET 输入提供保护。门极-漏极箝位会针对带有直感负载发生的雪崩压力保护 MOSFET 漏极。其独特设计提供了基本与运行温度无关的电压箝位。