此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率效率非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。