此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、有源功率系数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。