FDZ661PZ 基于先进的 1.5 V PowerTrench 工艺和“低间距”薄款 WLCSP 封装工艺而设计，可最大程度缩小 PCB 空间和降低 rDS(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、小型 (0.8x0.8 mm2) 封装、低门极电荷和低 rDS(on) 等诸多性能结合在一起。