FDZ197PZ采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺和最新“微间距”WLCSP封装工艺设计，最大限度地减小了PCB空间和r_DS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低r_DS(on)融合为一体。