FDZ191P 基于先进的 1.5V PowerTrench 工艺和“低螺距”WLCSP 封装工艺而设计，可最大程度缩小 PCB 空间和降低 rDS(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rDS(on) 等诸多性能结合在一起。