此器件专门设计作为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有两个共漏极 P 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向。FDZ1905PZ 在先进的 1.5V PowerTrench® 工艺的基础上采用最先进的“低间距” WL-CSP 封装工艺，可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。这种先进的 WL-CSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。