此类 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为使用一个锂电池或三个镉电池或 NMH 电池的电池电路应用而设计。它可在手机和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中用作反相器，或者高效的微型分立 DC/DC 转换。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。