此双 N 沟道 MOSFET 相比传统的功率 MOSFET 增加了一些功能。其中包括：1. 漏极至源极电压反馈信号，以及 2. 以前需要外部分立电路的门极驱动禁用控制功能。在 MOSFET 中包含这些功能可节省印刷电路板空间。当漏极至源极电压高于 62V 时，漏极至源极电压反馈功能会提供 5V 电平输出。这可以监测电感负载消耗其储存能量的时间。多个反馈信号可以“或”连接到监视电路的单个输入。门极禁用功能允许无需门极驱动信号即可实现器件关断。该功能使得第二个控制电路能在必要时停用负载。它还可以进行“或”接线，从而可以通过一个开路集电极/漏极控制晶体管来控制多个器件。