此类 P 沟道逻辑电平指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和功率、电池充电电路和保护电路。