此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。