此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。
比其他具有可比R_DS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。
因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。