型号FDN361BN
品牌
分类MOSFET
描述N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,30V,1.4A,110mΩ
产品概述

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用,在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。