型号FDN358P
品牌
分类MOSFET
描述单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-1.5A,125mΩ
产品概述

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。