此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用。