此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool^TM 封装技术完美融合，可在提供最小 r_DS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。