此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool™ 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。