此 N 沟道 SyncFET™ 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。