此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。缩小了实施有源箝位拓扑结构所需的面积；实现了同级最佳功率密度。