此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(on)、快速开关和体二极管反向恢复性能。