此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench^®工艺生产。先进的硅技术和Dual Cool™封装技术完美融合，可在提供最小r_DS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。